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深圳市中圖儀器股份有限公司

PRODUCT DISPLAY

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半導體量檢測設備

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號:WD4000

品       牌:CHOTEST/中圖儀器

廠商性質(zhì):生產(chǎn)商

所  在  地:深圳市

更新時間:2024-06-27 14:46:57瀏覽次數(shù):783次

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WD4000半導體量檢測設備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù),,完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,,實現(xiàn)晶圓厚度、TTV,、LTV,、Bow、Warp,、TIR、SORI,、等反應表面形貌的參數(shù).

WD4000半導體量檢測設備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù),、光干涉雙向掃描技術(shù),完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,,實現(xiàn)晶圓厚度,、TTV、LTV,、Bow,、Warp、TIR,、SORI,、等反應表面形貌的參數(shù);采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù),,完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像,,實現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度,、平面度,、線粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D,、3D參數(shù),。

半導體量檢測設備

WD4000半導體量檢測設備可廣泛應用于襯底制造、晶圓制造,、及封裝工藝檢測,、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工,、顯示面板,、MEMS器件等超精密加工行業(yè),。可測各類包括從光滑到粗糙,、低反射率到高反射率的物體表面,,從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度,、平整度,、微觀幾何輪廓、曲率等,,提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標準共計300余種2D,、3D參數(shù)作為評價標準。


測量功能

1,、厚度測量模塊:厚度,、TTV(總體厚度變化)、LTV,、BOW,、WARP、TIR,、SORI,、平面度、等,;

2,、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度,、微觀幾何輪廓,、面積、體積等,。

3,、提供調(diào)整位置、糾正,、濾波,、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平,、鏡像等功能,;糾正包括空間濾波、修描,、尖峰去噪等功能,;濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能,;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能,。

4、提供幾何輪廓分析,、粗糙度分析,、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析,、功能分析等五大分析功能,。幾何輪廓分析包括臺階高、距離,、角度,、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等,;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度,、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù),;結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷,。

半導體量檢測設備

產(chǎn)品優(yōu)勢

1、非接觸厚度,、三維維納形貌一體測量

集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,,使用一臺機器便可完成厚度,、TTV、LTV,、BOW,、WARP、粗糙度,、及三維形貌的測量,。

2、高精度厚度測量技術(shù)

(1)采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對Wafer進行高效掃描,。

(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,,晶圓規(guī)格最大可支持至12寸。

(3)采用Mapping跟隨技術(shù),,可編程包含多點,、線、面的自動測量,。

3,、高精度三維形貌測量技術(shù)

(1)采用光學白光干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm,;

(2)隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,,獲得高測量重復性。

(3)機器視覺技術(shù)檢測圖像Mark點,,虛擬夾具擺正樣品,,可對多點形貌進行自動化連續(xù)測量。

4,、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺

(1)大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm),,移動速度500mm/s。

(2)高精度花崗巖基座和橫梁,,整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,、可靠。

(3)關(guān)鍵運動機構(gòu)采用高精度直線導軌導引,、AC伺服直驅(qū)電機驅(qū)動,,搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng),保證設備的高精度,、高效率,。

5、操作簡單,、輕松無憂

(1)集成XYZ三個方向位移調(diào)整功能的操縱手柄,,可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作,。

(2)具備雙重防撞設計,,避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。

(3)具備電動物鏡切換功能,,讓觀察變得快速和簡單,。


應用場景

1、無圖晶圓厚度,、翹曲度的測量

通過非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度,、粗糙度、總體厚度變化(TTV),,有效保護膜或圖案的晶片的完整性,。


2、無圖晶圓粗糙度測量

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量,。在生產(chǎn)車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數(shù)據(jù)計算重復性為0.046987nm,,測量穩(wěn)定性良好,。


部分技術(shù)規(guī)格

品牌CHOTEST中圖儀器
型號WD4000
厚度和翹曲度測量系統(tǒng)
可測材料砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
測量范圍150μm~2000μm
掃描方式Fullmap面掃,、米字、自由多點
測量參數(shù)厚度、TTV(總體厚度變 化),、LTV,、BOW,、WARP,、平面度、線粗糙度
三維顯微形貌測量系統(tǒng)
測量原理白光干涉
干涉物鏡10X(2.5X,、5X,、20X、50X,可選多個)
可測樣品反射率0.05%~100
粗糙度RMS重復性0.005nm
測量參數(shù)顯微形貌 ,、線/面粗糙度,、空間頻率等三大類300余種參數(shù)
膜厚測量系統(tǒng)
測量范圍90um(n= 1.5)
景深1200um
最小可測厚度0.4um
紅外干涉測量系統(tǒng)
光源SLED
測量范圍37-1850um
晶圓尺寸4"、6",、8",、12"
晶圓載臺防靜電鏤空真空吸盤載臺
X/Y/Z工作臺行程400mm/400mm/75mm

請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,,恕不另行通知,,不便之處敬請諒解。

如有疑問或需要更多詳細信息,,請隨時聯(lián)系中圖儀器咨詢,。


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